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电子元器件详细资料 » IC[33188] » SI4892DY-T1-GE3
型号:SI4892DY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C12 毫欧 @ 12.4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大222800mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市美思瑞电子科技有限公司李小姐086-0755-83951431
上海金庆电子科技京城市场部陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
深圳市涛能电子科技有限公司朱成平13537790913
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SI4892DY-T1-GE3相关型号

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